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Text File  |  1990-09-13  |  5KB  |  130 lines
  1. $Revision:   1.2  $
  2. $Author:   pwt  $
  3. $Date:   29 May 1990 17:26:38  $
  4.  
  5. "Parts" on-line help file
  6. Release 4.04, July 1990
  7. (C) Copyright 1986-1990 MicroSim Corporation
  8. DMOD 1
  9. Diode - Forward Current
  10.  
  11. Device curve:
  12.  
  13.         Vfwd    forward voltage across junction for Ifwd
  14.         Ifwd    forward current @ Vfwd
  15.  
  16. Model parameters:
  17.  
  18.         IS      saturation current
  19.         N       emission coefficient
  20.         RS      series resistance
  21.         IKF     high-injection "knee" current
  22.         XTI     IS temperature coefficient
  23.         EG      activation energy
  24.  
  25. This screen estimates the parameters IS and RS from three voltage and current
  26. values.  Try to include data from low current values (where the increase in
  27. current is exponential), moderate current values, and high current value (where
  28. the increase in current is clearly resistive).
  29.  
  30. The last two model parameters, XTI and EG, may be changed.  We have set them to
  31. be normal values for silicon diodes.  For Schottky-barrier diodes these may be
  32. changed to XTI = 2 and EG = 0.69, which will give better modeling over
  33. temperature.
  34.  
  35. Also, it is sometimes helpful to set up traces for a few values of temperature
  36. (use Trace command) for adjusting XTI.
  37. DMOD 2
  38. Diode - Junction Capacitance
  39.  
  40. Device curve:
  41.  
  42.         Vrev    reverse voltage across diode (junction) for Cj
  43.         Cj      junction capacitance @ Vrev
  44.  
  45. Model parameters:
  46.  
  47.         CJO     zero-bias junction capacitance
  48.         VJ      junction potential
  49.         M       junction grading coefficient
  50.         FC      coefficient for onset of forward-bias depletion capacitance
  51.  
  52. This screen estimates the parameters CJO and M from a capacitance values given
  53. at non-zero reverse biases (a zero value for a Vj data point is OK).
  54.  
  55. The value for FC has been set to be normal for silicon diodes, but is
  56. relatively unimportant, as forward capacitance is dominated by diffusion
  57. capacitance (and modeled by transit time).
  58.  
  59. The data sheets for most switching and power diodes have little detail about
  60. reverse bias capacitance, because it is not too important.  Varicap diodes
  61. usually have better, more complete information.  Be aware that the diode
  62. package adds some fixed amount of capacitance that is not included in the
  63. device model, but may be included by the user with a small capacitor across the
  64. diode.  Having determined the package capacitance, subtract that from the total
  65. capacitance to model the diode junction.
  66. DMOD 3
  67. Diode - Reverse Leakage
  68.  
  69. Device curve:
  70.  
  71.         Vrev    reverse voltage for Irev
  72.         Irev    reverse (leakage) current @ Vrev
  73.  
  74. Model parameters:
  75.  
  76.         ISR     recombination current saturation value
  77.         NR      recombination current emission coefficient
  78.  
  79. This screen derives the generation-recombination current values for the device
  80. which, with the capacitance modeling (previous screen), provides the primary
  81. leakage mechanism of the diode junction.
  82.  
  83. Reverse current leakage is increased by imperfections in manufacturing which
  84. are not modeled.  Breakdown also increases reverse current, but this is modeled
  85. in the next screen.
  86. DMOD 4
  87. Diode - Reverse Breakdown
  88.  
  89. Device data:
  90.  
  91.         Vz      nominal Zener voltage @ Iz
  92.         Iz      nominal Zener current for Vz
  93.         Zz      Zener impedance (resistance) @ Vz,Iz
  94.  
  95. Model parameters:
  96.  
  97.         BV      reverse breakdown voltage (a positive value)
  98.         IBV     reverse breakdown current (a positive value)
  99.  
  100. This screen estimates the parameters BV and IBV for reverse breakdown
  101. operation, which is how voltage regulator (Zener or avalanche) diodes work. 
  102. Enter the values for Vz, Iz, and Zz.
  103.  
  104. BV and IBV will nearly equal Vz and Iz.  As the breakdown effect is modeled by
  105. an exponential function, the value of BV and IBV will adjust so that device
  106. impedance, Zz (ratio of the change in voltage to the change in current) is
  107. correct at Vz,Iz.
  108. DMOD 5
  109. Diode - Reverse Recovery
  110.  
  111. Device data:
  112.  
  113.         Trr     reverse recovery time
  114.         Ifwd    forward current (before switching)
  115.         Irev    initial reverse current
  116.         Rl      load resistance (total load of test fixture)
  117.  
  118. Model parameters:
  119.  
  120.         TT      transit time
  121.  
  122. This screen estimates the parameter TT from switching time.  Enter values for
  123. the upper list.  Be sure to include the test fixture resistance and pulse
  124. generator resistance in Rl.
  125.  
  126. The screen does a transient simulation of the diode switching.  Some of the
  127. parameters from earlier screens that have dynamic effects, for example, CJO,
  128. are included in the simulation.  You may need to adjust the X-axis to see the
  129. entire waveform.
  130.